高強度
密封放射性物質活度大於多少貝克屬高強度輻射設施 1000
TBq
設備加速電壓值大於何值?粒子能量大於多少? 之設施屬高強度輻射設施屬高強度輻射設施
30MV,
30M eV
高強度
高強度設施 60C o 活度 1200 TBq 照射場
高強度設施 密封物質活度 1000 TBq 照射場
高強度設施 設備粒子能量大於30M eV
高強度設施 合格運轉人員負責操作
高強度設施安全評估不包括 場所外環境輻射監測計畫
高強度輻射設施指下列之一設施:
(一)可發生游離輻射設備加速電壓值大於三千萬伏(30M V)之設施。
(二)可發生游離輻射設備粒子能量大於三千萬電子伏(30M eV) 之設施。
(三)使用密封放射性物質活度大於一千兆貝克(1000TBq) 之設施。
(高強度輻射設施種類及運轉人員管理辦法第2條/放射性物質與可發生游離輻射設備及其輻射作業管理辦法第2條第五項)
豁免
|
30kV
|
登記備查
|
150kV/150keV
|
許可
|
30MV/30MeV
|
高強度
|
↦ ↤
|
30kV(三萬伏特)
|
↦ ↤
|
15萬伏特(150kV)/15萬電子伏(150keV)
表面
|
↦ ↤
|
30百萬伏特(30MV)/30百萬電子伏(30MeV)
|
↦ ↤
|
電子顯微鏡
陰極射線管
電視接收機
電視商品30kV(3萬 V)以下
可發生游離輻射設備 3萬 V以下(三萬伏特) (輻射源豁免管制標準)
電子顯微鏡
陰極射線管
電視接收機
|
<放射性物質>(設備第16條)
①第四類及第五類密封放射性物質
②放射性物質在機器內形成一組件
活度為豁免管制量1000倍以下
5μSv/h↓
③非密封放射性物質 活度在豁免管制量100倍 以下
<可發生游離輻射設備> (設備第17條)
公稱電壓150 kV(15萬伏特)以下或粒子能量為十五萬電子伏(150keV)以下
<行李檢查X光機>
(櫃型或行李檢查x光機、離子佈植機、電子束焊機或靜電消除器)
表面
|
<放射性物質>(設備第16條)
①第四類及第五類密封放射性物質屬登記類
第四類及第五類以外密封放射性物質(如第一、二、三類)為許可類
②放射性物質在機器內形成一組件
活度為豁免管制量1000倍
5μSv/h
③非密封放射性物質
活度在豁免管制量100倍
<可發生游離輻射設備> (設備第17條)
公稱電壓150 kV(15萬伏特)
或粒子能量為十五萬電子伏(150keV)
<行李檢查X光機>
(櫃型或行李檢查x光機、離子佈植機、電子束焊機或靜電消除器)
表面
|
<放射性物質>(設備第16條)
①第四類及第五類以外密封放射性物質(如第一、二、三類)
②放射性物質在機器內形成一組件 活度為豁免管制量1000倍以上
5μSv/h↑
③非密封放射性物質 活度在豁免管制量100倍 以上
<可發生游離輻射設備> (設備第17條)
公稱電壓150 kV(15萬伏特)以上或粒子能量為十五萬電子伏(150keV)以上
<行李檢查X光機>
(櫃型或行李檢查x光機、離子佈植機、電子束焊機或靜電消除器)
表面
|
60
Co 1200 T Bq
密封放射性物質活度 1000
T Bq
|
以上
|
相關法條<法規規定>
登記備查類
使用下列放射性物質者,應向主管機關申請登記備查:
一、附表一所列第四類及第五類密封放射性物質者。
二、放射性物質在儀器或製品內形成一組件,其活度為豁免管制量一千倍以下,在正常使用狀況下,其可接近表面五公分 處劑量率為每小時五微西弗以下者。
三、前二款以外之放射性物質活度為豁免管制量一百倍以下者。
四、其他經主管機關指定者。
使用前項規定以外之放射性物質者,應向主管機關申請許可證。
使用下列可發生游離輻射設備者,申請人應向主管機關申請登記備查:
一、公稱電壓為十五萬伏(150kV) 或粒子能量為十五萬電子伏(150keV)以下者。
二、櫃型或行李檢查x光機、離子佈植機、電子束焊機或靜電消除器在正常使用狀況下,其可接近表面五公分 處劑量率為每小時五微西弗以下者。
三、其他經主管機關指定者。
使用前項以外之可發生游離輻射設備者,應向主管機關申請許可證。
「放射性物質或可發生游離輻射設備操作人員管理辦法」
第 5 條
本法第三十一條第二項規定之一定活度或一定能量之限值如下:
一、第四類及第五類密封放射性物質。
二、 放射性物質在儀器或製品內或形成一組件,其活度為豁免管制量一千倍以下,且可接近表面五公分 處劑量率為每小時五微西弗。
三、前二款以外之放射性物質活度為豁免管制量一百倍。
四、可發生游離輻射設備其公稱電壓為十五萬伏或粒子能量為十五萬電子伏。
五、 櫃型或行李檢查x 光機、離子佈植機、電子束焊機或靜電消除器,其可接近表面五公分 處劑量率為每小時五微西弗。
六、其他經主管機關指定者。
高強度
高強度輻射設施指下列之一設施:
(一)可發生游離輻射設備加速電壓值大於三千萬伏(30M V)之設施。
(二)可發生游離輻射設備粒子能量大於三千萬電子伏(30M eV)
之設施。
(三)使用密封放射性物質活度大於一千兆貝克(1000TBq) 之設施。
沒有留言:
張貼留言